BSS84PH6327XTSA2 与 BSS84P H6433 区别
| 型号 | BSS84PH6327XTSA2 | BSS84P H6433 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSS84PH6327XTSA2 | A-BSS84P H6433 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | - |
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.8Ω |
| 上升时间 | - | 16.2ns |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 1.5nC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 19pF @ 25V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 65mS |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 170mA |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 8 欧姆 @ 170mA,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - |
| 下降时间 | - | 20.5ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 360mW |
| 典型关闭延迟时间 | - | 8.6ns |
| FET类型 | P 通道 | P-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20uA | - |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | BSS84 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 170mA(Ta) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 6.7ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
P 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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BSS84-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel |
¥0.249
|
13,178 | 对比 | ||||||||
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BSS84-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel |
¥0.2316
|
0 | 对比 | ||||||||
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BSS84-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 130mA 300mW 10Ω@100mA,5V 50V ±20V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSS84P H6433 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 170mA 5.8Ω 20V 360mW P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 34 | 对比 |